SIHB12N65E-GE3

功能描述:MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

RoHS:

制造商:Vishay / Siliconix

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:700 V

闸/源击穿电压:20 V

漏极连续电流:12 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.392 Ohms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Bulk

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